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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > NSBA123JDXV6T1
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NSBA123JDXV6T1

ON Semiconductor SOT-563,SOT-666
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简述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NSBA123JDXV6T1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NSBA123JDXV6T1G ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
NSBA123JDXV6T5G ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 0+24000 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
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NSBA123EDXV6T1 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...

NSBA123JDXV6T1参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):2.2k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:500mW
安装类型:表面贴装

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