收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NP90N04VUG-E1-AY
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NP90N04VUG-E1-AY

Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH TO-252
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与NP90N04VUG-E1-AY相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NP90N055VDG-E1-AY Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 4951 MOSFET N-CH 55V 90A TO-252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP90N055VUG-E1-AY Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH 55V 90A TO-252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP90N06VLG-E1-AY Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH 60V 90A TO-252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP90N04VLG-E1-AY Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH TO-252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP90N04VDG-E1-AY Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 4990 MOSFET N-CH TO-252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP90N04MUG-S18-AY Renesas Electronics America TO-220-3 MOSFET N-CH 40A 90A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NP90N04VUG-E1-AY参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):90A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):135nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7500pF @ 25V
功率 - 最大值:1.2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别