| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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NP82N04MLG-S18-AY |
Renesas Electronics America | TO-220-3 | 900 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH TO-220 参考包装数量：900 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| NP82N04MUG-S18-AY | Renesas Electronics America | TO-220-3 | 900 | MOSFET N-CH TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| NP82N04NLG-S18-AY | Renesas Electronics America | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 82A TO-262 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP82N04NUG-S18-AY | Renesas Electronics America | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 82A TO-262 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| NP82N04MDG-S18-AY | Renesas Electronics America | TO-220-3 | 891 | MOSFET N-CH TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| NP82N03PUG-E1-AZ | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 82A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| NP80N06PLG-E1B-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
