| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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NP80N055NDG-S18-AY |
Renesas Electronics America | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| NP80N055NHE-S18-AY | Renesas Electronics America | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| NP80N055NLE-S18-AY | Renesas Electronics America | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP80N055PDG-E1B-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| NP80N055MLE-S18-AY | Renesas Electronics America | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP80N055MHE-S18-AY | Renesas Electronics America | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| NP80N055MDG-S18-AY | Renesas Electronics America | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
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