收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NP80N04NHE-S18-AY
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NP80N04NHE-S18-AY

Renesas Electronics America TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-262
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与NP80N04NHE-S18-AY相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NP80N04NLG-S18-AY Renesas Electronics America TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 40V 80A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP80N04NUG-S18-AY Renesas Electronics America TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 40V 80A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NP80N04PLG-E1B-AY Renesas Electronics America TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1000 MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP80N04MLG-S18-AY Renesas Electronics America TO-220-3 877 MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP80N04MHE-S18-AY Renesas Electronics America TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP80N04KHE-E1-AY Renesas Electronics America TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NP80N04NHE-S18-AY参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3300pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别