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NP22N055SHE-E1-AY

Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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简述:MOSFET N-CH 55V 22A TO-252
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NP22N055SLE-E1-AY Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 22A TO-252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP2300SAMCT3G ON Semiconductor DO-214AA,SMB IC TSPD SURGE DEVICE 50A SMB 电压 - 击穿:260V 电压 - 断路:190V 电压 - 导通状态:4V 电...
NP2300SAT3G ON Semiconductor DO-214AA,SMB IC THY SURGE PROTECTOR 230V SMB 电压 - 击穿:260V 电压 - 断路:190V 电压 - 导通状态:4V 电...
NP2100SCT3G ON Semiconductor DO-214AA,SMB IC THY SURGE PROTECTOR 210V SMB 电压 - 击穿:240V 电压 - 断路:180V 电压 - 导通状态:4V 电...
NP2100SCMCT3G ON Semiconductor DO-214AA,SMB IC TSPD SURGE PROTECT 100A SMB 电压 - 击穿:240V 电压 - 断路:180V 电压 - 导通状态:4V 电...
NP2100SBT3G ON Semiconductor DO-214AA,SMB IC THY SURGE PROTECTOR 210V SMB 电压 - 击穿:240V 电压 - 断路:180V 电压 - 导通状态:4V 电...

NP22N055SHE-E1-AY参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):22A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):39 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):890pF @ 25V
功率 - 最大值:1.2W
安装类型:表面贴装

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