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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NP15P06SLG-E1-AY
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NP15P06SLG-E1-AY

Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET P-CH -60V MP-3ZK/TO-252
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与NP15P06SLG-E1-AY相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NP160N04TUG-E1-AY Renesas Electronics America TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片) MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NP160N04TUJ-E1-AY Renesas Electronics America TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片) MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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NP1500SCT3G ON Semiconductor 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 2500 THYRISTOR TSPD 100A 150V SMB 电压 - 击穿:180V 电压 - 断路:140V 电压 - 导通状态:4V 电...
NP1500SCMCT3G ON Semiconductor DO-214AA,SMB IC TSPD LOW CAP 100A 160V SMB 电压 - 击穿:180V 电压 - 断路:140V 电压 - 导通状态:4V 电...

NP15P06SLG-E1-AY参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 10V
功率 - 最大值:1.2W
安装类型:表面贴装

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