| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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NP110N04PUJ-E1B-AY |
Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| NP110N055PUG-E2-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP110N055PUJ-E2B-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP1300SAMCT3G | ON Semiconductor | DO-214AA，SMB | IC TSPD SURGE DEVICE 50A SMB | 电压 - 击穿：160V 电压 - 断路：120V 电压 - 导通状态：4V 电... | |
| NP110N04PUG-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP110N04PDG-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NP110N03PUG-E1-AY | Renesas Electronics America | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
