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NIS6111QPT1G

ON Semiconductor 32-QFN 裸露焊盘
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简述:DIODE ORING FET 24V 30A 32-LLP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NIS6111QPT1G参数资料

PDF资料下载:

应用:回扫,正向转换器
FET 型:N 沟道
输出数:1
内部开关:是
延迟时间 - 开启:45ns
延迟时间 - 关闭:35ns
电源电压:4.8 V ~ 5.2 V
电流 - 电源:1.3mA
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装

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