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NID9N05ACLT4G

ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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简述:MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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NID9N05ACLT4G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):52V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 9A,12V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 40V
功率 - 最大值:1.74W
安装类型:表面贴装

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