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NIC9N05ACLF

ON Semiconductor *
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简述:IGBT N-CH 52V 9A BARE DIE
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NIC9N05ACLF参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):52V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):95 毫欧 @ 12A,12V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 40V
功率 - 最大值:1.74W
安装类型:*

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