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NESG7030M04-A

CEL SOT-343F 175
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简述:DISCRETE RF DIODE
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

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NESG7030M04-A参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.3V
频率 - 转换:5.8GHz
噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
增益:14dB ~ 21dB
功率 - 最大:125mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 5mA,2V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):30mA
安装类型:表面贴装

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