收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > NESG3032M14-T3-A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NESG3032M14-T3-A

CEL 4-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:TRANS NPN 2GHZ M14
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NESG3032M14-T3-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NESG3033M14-A CEL 4-SMD,扁平引线 TRANS NPN 2GHZ M14 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.3V 频率 - 转换...
NESG3033M14-T3-A CEL 4-SMD,扁平引线 TRANS RF NPN 2GHZ 4.3V 35MA M14 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.3V 频率 - 转换...
NESG4030M14-A CEL 4-SMD,扁平引线 120+9177 TRANS RF NPN 5.8GHZ 3V 35MA M14 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):3V 频率 - 转换:-...
NESG3032M14-A CEL 4-SMD,扁平引线 0+9870 TRANS NPN 2GHZ M14 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.3V 频率 - 转换...
NESG3031M14-T3-A CEL 4-SMD,扁平引线 TRANS NPN 5.8GHZ M14 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.3V 频率 - 转换...
NESG3031M14-A CEL 4-SMD,扁平引线 120 TRANS NPN 5.8GHZ M14 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.3V 频率 - 转换...

NESG3032M14-T3-A参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.3V
频率 - 转换:-
噪声系数(dB典型值@频率):0.6dB @ 2GHz
增益:17.5dB
功率 - 最大:150mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):220 @ 6mA,2V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):35mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别