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NE85639-A

CEL TO-253-4,TO-253AA
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简述:TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与NE85639-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NE85639R-T1 CEL SOT-143R TRANS NPN 1GHZ SOT-143R 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
NE85639R-T1-A CEL SOT-143R TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143R 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
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NE85634-A CEL TO-243AA 176 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...

NE85639-A参数资料

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晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
频率 - 转换:9GHz
噪声系数(dB典型值@频率):1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
增益:13.5dB
功率 - 最大:200mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):50 @ 20mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
安装类型:表面贴装

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