收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > NE85633-T1B-A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NE85633-T1B-A

CEL TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000
询价QQ:
简述:TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NE85633-T1B-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NE85633-T1B-R24-A CEL TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
NE85633-T1B-R25-A CEL TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
NE85634-A CEL TO-243AA 176 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
NE85633-T1B CEL TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 1GHZ SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
NE85633-R25-A CEL TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
NE85633-R24-A CEL TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...

NE85633-T1B-A参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
频率 - 转换:7GHz
噪声系数(dB典型值@频率):1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
增益:9dB
功率 - 最大:200mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):50 @ 20mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别