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NE85630-T1-R25-A

CEL SC-70,SOT-323
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简述:TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NE85630-T1-R25-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NE85633L-A CEL TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
NE85633-R24-A CEL TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
NE85633-R25-A CEL TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
NE85630-T1-R24-A CEL SC-70,SOT-323 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
NE85630-T1-A CEL SC-70,SOT-323 6000 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
NE85630-T1 CEL SC-70,SOT-323 TRANS NPN 1GHZ SOT-323 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...

NE85630-T1-R25-A参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
频率 - 转换:4.5GHz
噪声系数(dB典型值@频率):1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益:6dB ~ 12dB
功率 - 最大:150mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 7mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
安装类型:表面贴装

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