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首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > NE85619-T1
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NE85619-T1

CEL SOT-523 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:TRANS NPN 1GHZ SMD
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NE85619-T1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NE85619-T1-A CEL SOT-523 54000 TRANSISTOR NPN 1GHZ SMD 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
NE85630-A CEL SC-70,SOT-323 210 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
NE85630-R24-A CEL SC-70,SOT-323 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
NE85619-A CEL SOT-523 270 TRANSISTOR NPN 1GHZ MINIMOLD 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
NE85618-T1-A CEL SC-82A,SOT-343 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...
NE85618-A CEL SC-82A,SOT-343 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-343 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V 频率 - 转换:...

NE85619-T1参数资料

PDF资料下载:点击下载PDF文档

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
频率 - 转换:4.5GHz
噪声系数(dB典型值@频率):1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益:6.5dB ~ 12.5dB
功率 - 最大:100mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 20mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
安装类型:表面贴装

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