收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > NE851M03-A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NE851M03-A

CEL 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
询价QQ:
简述:TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与NE851M03-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NE851M03-T1-A CEL 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):5.5V 频率 - 转换...
NE851M13-A CEL SOT-3 TRANSISTOR NPN 2GHZ M13 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):5.5V 频率 - 转换...
NE851M13-T3-A CEL SOT-3 TRANS NPN LOW PRO M13 SMD 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):5.5V 频率 - 转换...
NE8 Richco Plastic Co CLAMP VINYL-DIPPED 7/16X3/8" ...
NE7 Richco Plastic Co CLAMP VINYL-DIPPED 7/16X3/8" ...
NE696M01-T1-A CEL 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6V 频率 - 转换:1...

NE851M03-A参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):5.5V
频率 - 转换:4.5GHz
噪声系数(dB典型值@频率):1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益:-
功率 - 最大:200mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 5mA,1V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别