收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > NE68133-A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NE68133-A

CEL TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 5083
询价QQ:
简述:TRANS NPN 1GHZ SOT-23
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与NE68133-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NE68133-T1B-A CEL TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
NE68133-T1B-R33-A CEL TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
NE68133-T1B-R34-A CEL TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
NE68130-T1-A CEL SC-70,SOT-323 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
NE68130-T1 CEL SC-70,SOT-323 TRANS NPN 1GHZ SOT-323 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...
NE68130-A CEL SC-70,SOT-323 TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V 频率 - 转换:...

NE68133-A参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):10V
频率 - 转换:9GHz
噪声系数(dB典型值@频率):1.2dB @ 1GHz
增益:13dB
功率 - 最大:200mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):50 @ 7mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):65mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别