收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF FET > NE5531079A-T1A-A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NE5531079A-T1A-A

CEL 4-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:FET RF LDMOS 460MHZ 30V 79A
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NE5531079A-T1A-A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NE5532AD Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 1302+5325 IC OPAMP GP 10MHZ DUAL LN 8SOIC 放大器类型:通用 电路数:2 输出类型:- 压摆率:9 V/µs 增...
NE5532AD8 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC 放大器类型:通用 电路数:2 输出类型:- 压摆率:9 V/µs 增...
NE5532AD8G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 784 IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC 放大器类型:通用 电路数:2 输出类型:- 压摆率:9 V/µs 增...
NE5531079A-T1-A CEL 4-SMD,扁平引线 FET RF LDMOS 460MHZ 7.5V 79A 晶体管类型:LDMOS 频率:460MHz 增益:- 电压 - 测试:7.5V ...
NE5531079A-A CEL 4-SMD,扁平引线 FET RF LDMOS 460MHZ 30V 79A 晶体管类型:LDMOS 频率:460MHz 增益:- 电压 - 测试:7.5V ...
NE552R479A-T1-A CEL 4-SMD,扁平引线 MOSFET LD N-CHAN 3V 79A 晶体管类型:N 通道 频率:2.45GHz 增益:11dB 电压 - 测试:3V...

NE5531079A-T1A-A参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:LDMOS
频率:460MHz
增益:-
电压 - 测试:7.5V
额定电流:3A
噪音数据:-
电流 - 测试:200mA
功率 - 输出:40dBm
电压 - 额定:30V

最近更新

型号类别