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NDT452P

Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA
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简述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NDT452P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):525pF @ 10V
功率 - 最大值:1.1W
安装类型:表面贴装

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