| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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NDT014L |
Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 8000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 参考包装数量：4000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| NDT2955 | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 47046 | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| NDT3055 | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 130000 | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| NDT3055L | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| NDT014 | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| NDS9959 | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| NDS9958 | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N+P 20V 3A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
