收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > NDS9947
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NDS9947

Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8-SOIC
参考包装数量:1
参考包装形式:

与NDS9947相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NDS9948 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 12500 MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NDS9952A Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
NDS9953A Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NDS9945 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
NDS9943 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N+P 20V 2.8A 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
NDS9936 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

NDS9947参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 3.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:542pF @ 10V
功率 - 最大:900mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别