收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > NDS331N_D87Z
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NDS331N_D87Z

Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 1.3A 3SSOT
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与NDS331N_D87Z相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NDS332P Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NDS335N Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NDS336P Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 1.2A SSOT3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NDS331N Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 159000 MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NDS0610 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 18000+1284000 MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
NDS0605 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 57000 MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

NDS331N_D87Z参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):162pF @ 10V
功率 - 最大值:460mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别