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NCP5181DR2G

ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NCP5181DR2G参数资料

PDF资料下载:

配置:半桥
输入类型:非反相
延迟时间:100ns
电流 - 峰:1.4A
配置数:1
输出数:2
高端电压 - 最大(自引导启动):600V
电源电压:10 V ~ 20 V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装

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