收藏本站

首页 > 集成电路 (IC) > PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 > NCP5111DR2G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

NCP5111DR2G

ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与NCP5111DR2G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NCP5111PG ON Semiconductor 8-DIP(0.300",7.62mm) 0+5300 IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-PDIP 配置:半桥 输入类型:非反相 延迟时间:750ns 电流 - 峰:250mA 配...
NCP511SN15T1 ON Semiconductor 6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)5 引线 IC REG LDO 1.5V .15A 5TSOP 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.5V 电压 - 输入:最高 6V 电...
NCP511SN15T1G ON Semiconductor 6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)5 引线 0+30000 IC REG LDO 1.5V .15A 5TSOP 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.5V 电压 - 输入:最高 6V 电...
NCP5106BPG ON Semiconductor 8-DIP(0.300",7.62mm) 840+2950 IC DRIVER HI/LO 600V 8-DIP 配置:半桥 输入类型:非反相 延迟时间:100ns 电流 - 峰:250mA 配...
NCP5106BDR2G ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DRIVER HI/LO 600V 8-SOIC 配置:半桥 输入类型:非反相 延迟时间:100ns 电流 - 峰:250mA 配...
NCP5106BA36WGEVB ON Semiconductor 2 EVAL BOARD FOR NCP5106BA36WG ...

NCP5111DR2G参数资料

PDF资料下载:

配置:半桥
输入类型:非反相
延迟时间:750ns
电流 - 峰:250mA
配置数:1
输出数:2
高端电压 - 最大(自引导启动):600V
电源电压:10 V ~ 20 V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别