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首页 > 集成电路 (IC) > 存储器 - 控制器 > MXD1210EWE+T
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MXD1210EWE+T

Maxim Integrated 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 闂傚倷鐒﹀鍨熆閳ь剛绱掗幓鎺濈吋闁诡垯鐒︾粋鎺斺偓锝庡亝濞呮牠姊虹捄銊ユ珢闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:IC CNTRLR NVRAM 16-SOIC
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MXD1210EWE+T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MXD1810UR41+T Maxim Integrated TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC MPU RESET CIRC 4.12V SOT23-3 类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 ...
MXD1810UR44+T Maxim Integrated TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 0+20000 IC MPU RESET CIRC 4.37V SOT23-3 类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 ...
MXD1810UR46+T Maxim Integrated TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 0+20000 IC MPU RESET CIRC 4.62V SOT23-3 类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 ...
MXD1210EWE+ Maxim Integrated 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 0+598 IC CNTRLR NVRAM 16-SOIC 控制器类型:非易失性 RAM 电源电压:4.75 V ~ 5.5 V 工作温度:...
MXD1210ESA+T Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC CNTRLR NVRAM 8-SOIC 控制器类型:非易失性 RAM 电源电压:4.75 V ~ 5.5 V 工作温度:...
MXD1210ESA+ Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 90+300 IC CNTRLR NVRAM 8-SOIC 控制器类型:非易失性 RAM 电源电压:4.75 V ~ 5.5 V 工作温度:...

MXD1210EWE+T参数资料

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控制器类型:非易失性 RAM
电源电压:4.75 V ~ 5.5 V
工作温度:-40°C ~ 85°C

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