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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > MUN2236T1
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MUN2236T1

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:TRANS BRT NPN 50V SC59
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MUN2236T1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT NPN 50V SC59 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
MUN2237T1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 0+6000 TRANS BRT NPN 50V SC59 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
MUN2240T1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
MUN2234T1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 0+90000 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
MUN2233T1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 27000+84000 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
MUN2233T1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...

MUN2236T1参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):100k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):100k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:338mW
安装类型:表面贴装

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