收藏本站

首页 > 集成电路 (IC) > 存储器 > MT29F4G08ABAEAWP:E
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MT29F4G08ABAEAWP:E

Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
询价QQ:
简述:IC FLASH NAND 4GB 48TSOP
参考包装数量:1000
参考包装形式:散装

与MT29F4G08ABAEAWP:E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MT29F4G08ABBDAH4:D Micron Technology Inc 63-VFBGA IC FLASH NAND 4GB 63VFBGA 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(512M...
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D Micron Technology Inc 63-VFBGA IC FLASH NAND 4GB 63VFBGA 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(512M...
MT29F4G08ABBDAHC:DTR Micron Technology Inc 63-VFBGA 1000 IC FLASH 4GBIT 63VFBGA 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(512M...
MT29F4G08ABADAWP-IT:DTR Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 2000 IC FLASH 4G 3.3V 2KBPG 48TSOP 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(512M...
MT29F4G08ABADAWP-IT:D Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) IC FLASH 4G 3.3V 2KBPG 48TSOP 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(512M...
MT29F4G08ABADAWP:DTR Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 9000 IC FLASH 4GBIT 48TSOP 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(512M...

MT29F4G08ABAEAWP:E参数资料


格式 - 存储器:闪存
存储器类型:闪存 - NAND
存储容量:4G(512M x 8)
速度:-
接口:并联
电源电压:2.7 V ~ 3.6 V
工作温度:0°C ~ 70°C

最近更新

型号类别