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MSD601-RT1

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:TRANS GP NPN 100MA 50V SC59
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MSD601-RT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 0+15000 TRANS GP NPN 100MA 50V SC59 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
MSD601-ST1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS GP NPN 100MA 50V SC59 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
MSD601-ST1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS GP NPN 100MA 50V SC59 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
MSD52-16 Microsemi Power Products Group M2 19 DIODE BRIDGE 1600V 50A SM2 电压 - 峰值反向(最大):1600V 电流 - DC 正向(If):50A 二...
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MSD601-RT1参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):210 @ 2mA,10V
功率 - 最大:200mW
频率 - 转换:-
安装类型:表面贴装

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