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MSD1819A-RT1G

ON Semiconductor SC-70,SOT-323 3000
询价QQ:
简述:TRANS NPN GP BIPO 50V SOT-323
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MSD1819A-RT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MSD200-08 Microsemi Power Products Group M3 75 DIODE BRIDGE 3PH 800V 200A SM3 电压 - 峰值反向(最大):800V 电流 - DC 正向(If):200A 二...
MSD200-12 Microsemi Power Products Group M3 29 DIODE BRIDGE 3PH 1200V 200A SM3 电压 - 峰值反向(最大):1200V 电流 - DC 正向(If):200A ...
MSD200-16 Microsemi Power Products Group M3 22 DIODE BRIDGE 1600V 200A SM3 电压 - 峰值反向(最大):1600V 电流 - DC 正向(If):200A ...
MSD160-16 Microsemi Power Products Group M3 15 MOD DIODE GPP 1600V 160A M3 电压 - 峰值反向(最大):1600V 电流 - DC 正向(If):160A ...
MSD160-12 Microsemi Power Products Group M3 6 DIODE BRIDGE 3PH 1200V 160A SM3 电压 - 峰值反向(最大):1200V 电流 - DC 正向(If):160A ...
MSD160-08 Microsemi Power Products Group M3 DIODE BRIDGE 3PH 800V 160A SM3 电压 - 峰值反向(最大):800V 电流 - DC 正向(If):160A 二...

MSD1819A-RT1G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):210 @ 2mA,10V
功率 - 最大:150mW
频率 - 转换:-
安装类型:表面贴装

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