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MSD1328-RT1G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:TRANS NPN GP BIPO 20V SC-59
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MSD1328-RT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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MSD1328-RT1G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 20mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 500mA,2V
功率 - 最大:200mW
频率 - 转换:-
安装类型:表面贴装

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