收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF FET > MRFE6VP5600HSR5
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MRFE6VP5600HSR5

Freescale Semiconductor 4 外壳 375E-04 0+200
询价QQ:
简述:MOSFET RF N-CH 600W NI1230S
参考包装数量:50
参考包装形式:带卷 (TR)

与MRFE6VP5600HSR5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MRFE6VP5600HSR6 Freescale Semiconductor 4 外壳 375E-04 MOSFET RF N-CH 600W NI1230S 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:230MHz 增益:25dB 电压 - 测试...
MRFE6VP61K25HR5 Freescale Semiconductor NI-1230 50 FET RF 2N-CH 230MHZ 50V NI-1230 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:230MHz 增益:24dB 电压 - 测试...
MRFE6VP61K25HR6 Freescale Semiconductor NI-1230 MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:230MHz 增益:24dB 电压 - 测试...
MRFE6VP5600HR6 Freescale Semiconductor NI-1230 MOSFET RF N-CH 600W NI1230 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:230MHz 增益:25dB 电压 - 测试...
MRFE6VP5600HR5 Freescale Semiconductor NI-1230 100 FET RF LDMOS DUAL 230MHZ NI1230 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:230MHz 增益:25dB 电压 - 测试...
MRFE6S9205HSR5 Freescale Semiconductor NI-880S MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S 晶体管类型:LDMOS 频率:880MHz 增益:21.2dB 电压 - 测试:...

MRFE6VP5600HSR5参数资料


晶体管类型:LDMOS(双)
频率:230MHz
增益:25dB
电压 - 测试:50V
额定电流:-
噪音数据:-
电流 - 测试:100mA
功率 - 输出:600W
电压 - 额定:130V

最近更新

型号类别