收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF FET > MRF8S21200HR6
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MRF8S21200HR6

Freescale Semiconductor NI-1230 0+1200
询价QQ:
简述:MOSFET RF N-CH 48W NI-1230H
参考包装数量:150
参考包装形式:带卷 (TR)

与MRF8S21200HR6相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MRF8S21200HSR5 Freescale Semiconductor NI-1230S MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:2.14GHz 增益:18.1dB 电压 -...
MRF8S21200HSR6 Freescale Semiconductor NI-1230S MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:2.14GHz 增益:18.1dB 电压 -...
MRF8S23120HR3 Freescale Semiconductor NI-780 0+250 MOSFET RF N-CH 120W NI-780 晶体管类型:LDMOS 频率:2.3GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28...
MRF8S21200HR5 Freescale Semiconductor NI-1230 0+550 FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI1230H 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:2.14GHz 增益:18.1dB 电压 -...
MRF8S21172HSR5 Freescale Semiconductor NI-780S MOSFET RF N-CH 42W 28V NI780S 晶体管类型:LDMOS 频率:2.17GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试...
MRF8S21172HSR3 Freescale Semiconductor NI-780S MOSFET RF N-CH 42W 28V NI780S 晶体管类型:LDMOS 频率:2.17GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试...

MRF8S21200HR6参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:LDMOS(双)
频率:2.14GHz
增益:18.1dB
电压 - 测试:28V
额定电流:-
噪音数据:-
电流 - 测试:1.4A
功率 - 输出:48W
电压 - 额定:65V

最近更新

型号类别