收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF FET > MRF8S18120HR3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MRF8S18120HR3

Freescale Semiconductor NI-780 0+1500
询价QQ:
简述:MOSFET RF N-CH 120W NI-780
参考包装数量:250
参考包装形式:带卷 (TR)

与MRF8S18120HR3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MRF8S18120HR5 Freescale Semiconductor NI-780 MOSFET RF N-CH 120W NI-780 晶体管类型:LDMOS 频率:1.81GHz 增益:18.2dB 电压 - 测试...
MRF8S18120HSR3 Freescale Semiconductor NI-780S 0+7250 MOSFET RF N-CH 120W NI-780S 晶体管类型:LDMOS 频率:1.81GHz 增益:18.2dB 电压 - 测试...
MRF8S18120HSR5 Freescale Semiconductor NI-780S MOSFET RF N-CH 120W NI-780S 晶体管类型:LDMOS 频率:1.81GHz 增益:18.2dB 电压 - 测试...
MRF8P9300HSR6 Freescale Semiconductor NI-1230S FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230HS 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:960MHz 增益:19.4db 电压 - ...
MRF8P9300HSR5 Freescale Semiconductor NI-1230S FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230HS 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:960MHz 增益:19.4db 电压 - ...
MRF8P9300HR6 Freescale Semiconductor NI-1230 0+150 FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230H 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:960MHz 增益:19.4db 电压 - ...

MRF8S18120HR3参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:LDMOS
频率:1.81GHz
增益:18.2dB
电压 - 测试:28V
额定电流:10µA
噪音数据:-
电流 - 测试:800mA
功率 - 输出:72W
电压 - 额定:65V

最近更新

型号类别