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首页 > 分离式半导体产品 > RF FET > MRF8P20160HSR5
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MRF8P20160HSR5

Freescale Semiconductor NI-780HS-4 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:DISCRETE RF FET
参考包装数量:50
参考包装形式:带卷 (TR)

与MRF8P20160HSR5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MRF8P20161HSR3 Freescale Semiconductor NI-780HS-4 0+1000 IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:1.92GHz 增益:16.4dB 电压 -...
MRF8P20161HSR5 Freescale Semiconductor NI-780HS-4 IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:1.92GHz 增益:16.4dB 电压 -...
MRF8P20165WHR3 Freescale Semiconductor NI-780-4 0+500 FET RF LDMOS 28V 550MA NI780-4 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:1.98GHz ~ 2.01GHz 增益:1...
MRF8P20160HSR3 Freescale Semiconductor NI-780HS-4 DISCRETE RF FET 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:1.92GHz 增益:16.5dB 电压 -...
MRF8P20160HR5 Freescale Semiconductor NI-780-4 DISCRETE RF FET 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:1.92GHz 增益:16.5dB 电压 -...
MRF8P20160HR3 Freescale Semiconductor NI-780-4 DISCRETE RF FET 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:1.92GHz 增益:16.5dB 电压 -...

MRF8P20160HSR5参数资料


晶体管类型:LDMOS(双)
频率:1.92GHz
增益:16.5dB
电压 - 测试:28V
额定电流:-
噪音数据:-
电流 - 测试:550mA
功率 - 输出:37W
电压 - 额定:65V

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