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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > MMUN2114LT1
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MMUN2114LT1

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23
参考包装数量:10
参考包装形式:剪切带 (CT)

与MMUN2114LT1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMUN2114LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 21000 TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
MMUN2114LT3G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 0+30000 TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-23 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
MMUN2115LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 21000 TRANS BRT PNP 50V SOT-23 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
MMUN2113LT3G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT PNP 50V SOT-23 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
MMUN2113LT3 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT PNP 50V SOT-23 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
MMUN2113LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9000 TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...

MMUN2114LT1参数资料

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晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:246mW
安装类型:表面贴装

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