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MMSZ9V1T1G

ON Semiconductor SOD-123 9000
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简述:DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD-123
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MMSZ9V1T1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMT05A230T3 ON Semiconductor DO-214AC,SMA THYRIST TSPD BIDIR 50A 170V SMA 电压 - 击穿:265V 电压 - 断路:170V 电压 - 导通状态:3V 电...
MMT05A230T3G ON Semiconductor DO-214AC,SMA THYRIST TSPD BIDIR 50A 170V SMA 电压 - 击穿:265V 电压 - 断路:170V 电压 - 导通状态:3V 电...
MMT05A260T3 ON Semiconductor DO-214AC,SMA THYRIST TSPD BIDIR 50A 200V SMA 电压 - 击穿:320V 电压 - 断路:200V 电压 - 导通状态:3V 电...
MMSZ8V2T1G ON Semiconductor SOD-123 15000+36000 DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD-123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):8.2V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
MMSZ7V5T1G ON Semiconductor SOD-123 18000+24000 DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD-123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):7.5V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
MMSZ6V8T1G ON Semiconductor SOD-123 15000 DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD-123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):6.8V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...

MMSZ9V1T1G参数资料

PDF资料下载:

电压 - 齐纳(标称)(Vz):9.1V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电:500nA @ 6V
容差:±5%
功率 - 最大:500mW
阻抗(最大)(Zzt):15 欧姆
安装类型:表面贴装

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