| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
MMJT350T1G |
ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 7000 | 询价QQ： |
|
| 简述：TRANS BIPO PNP 0.5A 300V SOT-223 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| MMJT9410T1 | ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | TRANS NPN BIPOLAR 3A 30V SOT223 | 晶体管类型：NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A 电压 - 集电极发... | |
| MMJT9410T1G | ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | TRANS NPN BIPOLAR 3A 30V SOT223 | 晶体管类型：NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A 电压 - 集电极发... | |
| MMJT9435T1 | ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | TRANS PNP BIPOLAR 3A 30V SOT223 | 晶体管类型：PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A 电压 - 集电极发... | |
| MMJT350T1 | ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | TRANS BIPO PNP 0.5A 300V SOT-223 | 晶体管类型：PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA 电压 - 集... | |
| MMIX1X200N60B3H1 | IXYS | * | IGBT 600V 175A 520W SMPD | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... | |
| MMIX1X100N60B3H1 | IXYS | * | 100 | IGBT 600V 105A 250W SMPD | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
