收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列 > MMDT4126-7
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MMDT4126-7

Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
询价QQ:
简述:TRANSISTOR DUAL PNP -25V SOT-363
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MMDT4126-7相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMDT4126-7-F Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 9000 TRANSISTOR DUAL PNP 25V SOT363 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
MMDT4146-7 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSISTOR COMP PAIR 40V SOT-363 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压...
MMDT4146-7-F Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 18000 TRANSISTOR COMP PAIR 40V SOT363 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压...
MMDT4124-7-F Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 9000 TRANSISTOR DUAL NPN 25V SOT363 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
MMDT4124-7 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSISTOR DUAL NPN 25V SOT-363 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
MMDT3946LP4-7 Diodes Inc 6-SMD,无引线 TRANS BIPO COMPL NPN/PNP 6-DFN 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压...

MMDT4126-7参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 2mA,1V
功率 - 最大:200mW
频率 - 转换:250MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别