收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) > MMBV3102LT1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MMBV3102LT1

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:DIODE TUNING SS 30V SOT23
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与MMBV3102LT1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMBV3102LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000+105000 DIODE TUNING SS 30V SOT23 电容@ Vr, F:25pF @ 3V,1MHz 电容比:4.8 电容比条件:C...
MMBV3401LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 35V SOT23 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大):35V 电流 - 最大:...
MMBV3401LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 DIODE TUNING SS 35V SOT23 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大):35V 电流 - 最大:...
MMBV2109LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 30V SOT23 电容@ Vr, F:36.3pF @ 4V,1MHz 电容比:3.2 电容比条件...
MMBV2109LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 30V SOT23 电容@ Vr, F:36.3pF @ 4V,1MHz 电容比:3.2 电容比条件...
MMBV2108LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE TUNING SS 30V SOT-23 电容@ Vr, F:29.7pF @ 4V,1MHz 电容比:3.2 电容比条件...

MMBV3102LT1参数资料

PDF资料下载:

电容@ Vr, F:25pF @ 3V,1MHz
电容比:4.8
电容比条件:C3/C25
电压 - 峰值反向(最大):30V
二极管类型:单一
在 Vr、F 时的 Q 值:200 @ 3V,50MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别