收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > MMBTH24-7-F
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MMBTH24-7-F

Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9000
询价QQ:
简述:TRANS NPN 40V 50MA SOT23-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MMBTH24-7-F相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMBTH34 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR RF NPN SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V 频率 - 转换:...
MMBTH81 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 15000 TRANSISTOR RF PNP SOT-23 晶体管类型:PNP 电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V 频率 - 转换:...
MMBTH81_D87Z Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS RF PNP 20V 50MA SOT-23 晶体管类型:PNP 电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V 频率 - 转换:...
MMBTH24-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN VHF/UHF 40V SOT23-3 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V 频率 - 转换:...
MMBTH24 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR RF NPN SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V 频率 - 转换:...
MMBTH11 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 0+36000 TRANSISTOR RF NPN SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V 频率 - 转换:...

MMBTH24-7-F参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
频率 - 转换:400MHz
噪声系数(dB典型值@频率):-
增益:-
功率 - 最大:300mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 8mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):50mA
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别