收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > MMBTH10LT3G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MMBTH10LT3G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT23
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MMBTH10LT3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMBTH10M3T5G ON Semiconductor SOT-723 TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT-723 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V 频率 - 转换:...
MMBTH10RG Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 0+150000 TRANSISTOR RF NPN SOT-23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V 频率 - 转换:...
MMBTH10-TP Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 TRANS RF NPN 650MHZ 25V SOT23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V 频率 - 转换:...
MMBTH10LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9000 TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V 频率 - 转换:...
MMBTH10LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS SS VHF NPN 25V SOT23 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V 频率 - 转换:...
MMBTH10-7-F Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 66000 TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V 频率 - 转换:...

MMBTH10LT3G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V
频率 - 转换:650MHz
噪声系数(dB典型值@频率):-
增益:-
功率 - 最大:225mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):60 @ 4mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别