收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > MMBTA20LT1G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MMBTA20LT1G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:TRANS NPN GP 40V 100MA SOT-23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MMBTA20LT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMBTA28 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 TRANS DRL NPN 80V 800MA SSOT3 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):800mA ...
MMBTA28-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BIPO NPN DARL 80V SOT23-3 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
MMBTA28-7-F Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 TRANS BIPO NPN DARL 80V SOT23-3 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
MMBTA20LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN GP 40V 100MA SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
MMBTA14-TP Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN DARL 30V SOT23 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):300mA ...
MMBTA14LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 48000 TRANS SS DARL NPN 30V SOT23 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):300mA ...

MMBTA20LT1G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 5mA,10V
功率 - 最大:225mW
频率 - 转换:125MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别