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首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > MMBTA13LT3G
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MMBTA13LT3G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:TRANS SS DARL NPN 30V SOT23
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MMBTA13LT3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMBTA13-TP Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN DARL 30V SOT23 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):300mA ...
MMBTA14 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 15000 TRANS NPN GP 30V 1.2A SOT-23 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1.2A 电...
MMBTA14_D87Z Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS DARL NPN 30V 1.2A SOT-23 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1.2A 电...
MMBTA13LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 53761 TRANS SS DARL NPN 30V SOT23 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):300mA ...
MMBTA13LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS SS DARL NPN 30V SOT23 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):300mA ...
MMBTA13-7-F Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 72000 TRANSISTOR DARL NPN 30V SOT23-3 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):300mA ...

MMBTA13LT3G参数资料

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晶体管类型:NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大):300mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 100µA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):10000 @ 100mA,5V
功率 - 最大:225mW
频率 - 转换:125MHz
安装类型:表面贴装

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