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MMBTA05-TP

Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 21000
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简述:TRANSISTOR NPN GP 60V SOT23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMBTA06 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 117000 TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...
MMBTA06_D87Z Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS GP NPN 80V 500MA SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...
MMBTA06_L98Z Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS GP NPN 80V 500MA SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...
MMBTA05LT3G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS DRIVER NPN 60V SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...
MMBTA05LT3 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS DRIVER NPN 60V SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...
MMBTA05LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 24000 TRANS DRIVER SS NPN 60V SOT23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...

MMBTA05-TP参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 100mA,1V
功率 - 最大:300mW
频率 - 转换:100MHz
安装类型:表面贴装

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