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MMBT6515

Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 0+33000
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简述:TRANSISTOR NPN GP SOT-23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与MMBT6515相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMBT6517LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS SS NPN 350V HV SOT23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
MMBT6517LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 33000 TRANS SS NPN 350V HV SOT23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
MMBT6517LT3 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 350V 500MA SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
MMBT6429LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 12000 TRANS SS NPN 45V LN SOT23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压 - 集...
MMBT6429LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS SS NPN 45V LN SOT23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压 - 集...
MMBT6428LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 15000 TRANS SS NPN 50V LN SOT23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压 - 集...

MMBT6515参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):250 @ 2mA,10V
功率 - 最大:350mW
频率 - 转换:-
安装类型:表面贴装

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