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MMBT6428

Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 24000+612000
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简述:TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMBT6428LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS SS NPN 50V LN SOT23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压 - 集...
MMBT6428LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 15000 TRANS SS NPN 50V LN SOT23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压 - 集...
MMBT6429LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS SS NPN 45V LN SOT23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压 - 集...
MMBT6427LT3G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS DARL NPN 40V 500MA SOT-23 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
MMBT6427LT3 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS DARL NPN 40V 500MA SOT-23 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
MMBT6427LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 30000 TRANS SS DARL NPN 40V SOT23 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...

MMBT6428参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):250 @ 100µA,5V
功率 - 最大:350mW
频率 - 转换:700MHz
安装类型:表面贴装

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