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MMBT4124LT1G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 24000+210000
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简述:TRANS NPN 25V 200MA SOT23-3
参考包装数量:1
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与MMBT4124LT1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMBT4126 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 36000+684000 TRANSISTOR GP PNP AMP SOT-23 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压 - 集...
MMBT4126-7 Diodes/Zetex TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 TRANS PNP -25V 300MW SMD SOT23-3 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压 - 集...
MMBT4126-7-F Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 42000 TRANS PNP 25V 300MW SMD SOT23-3 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压 - 集...
MMBT4124-7-F Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 13109 TRANS NPN 25V 300MW SMD SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压 - 集...
MMBT4124-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 25V 300MW SMD SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压 - 集...
MMBT4124 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6520+126000 TRANSISTOR NPN 25V 200MA SOT23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压 - 集...

MMBT4124LT1G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 2mA,1V
功率 - 最大:225mW
频率 - 转换:300MHz
安装类型:表面贴装

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