收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > MMBT100
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

MMBT100

Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 38845
询价QQ:
简述:TRANSISTOR NPN GP SOT-23
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与MMBT100相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
MMBT100A Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN GP SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集...
MMBT123S-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 1A 18V SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发...
MMBT123S-7-F Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 TRANS NPN 1A 18V SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发...
MMBFU310LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 21462 JFET SS N-CH 25V SOT23 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):24mA @ 10V 漏...
MMBFU310LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 JFET SS N-CHAN 25V SOT23 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):24mA @ 10V 漏...
MMBFJ310LT3G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 JFET N-CH 25V SOT-23 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流...

MMBT100参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 20mA,200mA
电流 - 集电极截止(最大):50nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 150mA,5V
功率 - 最大:350mW
频率 - 转换:250MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别